13n50场效应管参数(5n65场效应管参数及代换)

1.0N60：N沟道MOSFET功率，10A 600V。 10N60是N沟道场效应晶体管，耐压600V，电流10A。 13N50是N沟道场效应晶体管，耐压500V，电流13A。 如果您的应用实际电压不超过400V，则可以更换。 没有必要考虑现在的情况。 场效应晶体管简称场效应晶体管。 13N50C是N沟道MOS场效应管，主要电参数为：Vdss=500V，ID=13A，Rds(on)max=0.3Ω。 可以直接用FDPF13N50N代替，它们的参数相同，但型号不同。 。 7开关管材展示中益的主要参数损耗场效应管、型号、功率PCM 两者都是13A、N沟道场效应功率管，但第一个阻值为600V，第二个阻值为500V。

3.3N50场效应管全称是TSP13N50M，主要额定值13A/500V，封装形式为TO-220，为N沟道场效应管。 效应MOS管。 这两个型号的参数相差很大，无法替代。 场效应管参数为：N-M0SFET/阻值电压600V/电流9A/功率50W/

4.k1317和3n150有以下几个方面的区别： 电路结构：k1317是N沟道金属氧化物场效应管，不是三极管。 3N150是场效应晶体管，也叫场效应管，是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的一种。

5.3N50C晶体管可以替换为EUM091R或EUM092R晶体管。 13N50C晶体管可以工作在非常低的电流和非常低的电压条件下，并且制造工艺可以很容易地将许多场效应晶体管集成在一个硅芯片上。

6. n150场效应管主要参数为030V、200mA。 3n150场效应管的替代品是2sc3320场效应管，它们相互兼容。 尺寸和功率相同，性能相同，是两个可互换的场效应晶体管。 三极管150n03的用途：三极管150n03一般具有放大和开关两种功能。